TK10A60D

TK10A60D

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N است که توسط Toshiba Corporation تولید شده است. این قطعه در پکیج عایق‌شده TO-220F ارائه می‌شود و راه‌حلی اقتصادی و قابل اعتماد برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا و جریان متوسط طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 600V

• جریان درین پیوسته (Id): 10A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 580mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220F-3 (Through-Hole، عایق‌شده)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 600V

• جریان درین پیوسته (Id): 10A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 580mΩ

• توان قابل تحمل (Pd): 50W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با توان متوسط

• مدارهای کنترل روشنایی LED

• درایورهای رله و سولنوئید با ولتاژ بالا

• مبدل‌های DC-DC با ولتاژ ورودی بالا

• سیستم‌های UPS کوچک

• منابع تغذیه صنعتی و مصرفی

• کنترل موتورهای کوچک با ولتاژ بالا

✅ مزایا:

• ولتاژ کاری بالا: 600 ولت برای کاربردهای صنعتی

• پکیج عایق‌شده (TO-220F): امکان نصب مستقیم روی هیت‌سینک بدون نیاز به واسط عایق

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

• قیمت بسیار مقرون به‌صرفه: راه‌حلی اقتصادی برای کاربردهای ولتاژ بالا

• پایداری حرارتی: عملکرد پایدار در محدوده دمایی وسیع

• دیود بدنۀ داخلی: دارای دیود بدنۀ بازیابی سریع

• نصب آسان: طراحی شده برای مونتاژ مکانیزه و دستی

🎯 جمع‌بندی:
TK10A60D یک MOSFET کانال N مقرون به‌صرفه و قابل اعتماد است که ترکیب مناسبی از ولتاژ بالا (600V) و جریان متوسط (10A) را ارائه می‌دهد. پکیج عایق‌شده TO-220F، نصب و مدیریت حرارتی این قطعه را بسیار ساده کرده و آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای طراحی‌های صنعتی و مصرفی تبدیل می‌کند. این قطعه برای کاربردهایی که به ولتاژ بالا با حداقل هزینه نیاز دارند، گزینه‌ای مناسب محسوب می‌شود. استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به بهترین عملکرد حرارتی و اطمینان از طول عمر قطعه ضروری است.