NCEP0178AK
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تأکید بر راندمان بالا و قابلیت جریان بالا است که توسط Wuxi NCE Power Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج سطحنشین TO-252 (D-PAK) ارائه میشود و برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ متوسط و جریان سنگین در طراحیهای فشردهشده مدرن طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
-
کانال: N-Channel
-
ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V
-
جریان درین پیوسته (Id): 78A (در 25°C)
-
مقاومت روشن (Rds(on)): 7.2mΩ
-
نوع بستهبندی: TO-252 (D-PAK) - SMD/SMT
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V
-
جریان درین پیوسته (Id): 78A (در 25°C)
-
مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 7.2mΩ
-
توان قابل تحمل (Pd): 100W
💡 کاربردهای اصلی:
-
مبدلهای DC-DC همگام (Synchronous Buck/Boost) با جریان خروجی بالا در سرورها، تجهیزات شبکه و خودروهای برقی
-
درایورهای موتور براشلس (BLDC) برای وسایل نقلیه الکتریکی کوچک، ابزارهای برقی و سیستمهای رباتیک
-
سوئیچینگ باتری با جریان بالا در سیستمهای مدیریت باتری (BMS)
-
منابع تغذیه کلاس D برای آمپلیفایرهای صوتی پرقدرت
-
کنترلرهای روشنایی LED صنعتی با توان بالا
✅ مزایا:
-
مقاومت روشن بسیار پایین (7.2mΩ): کاهش چشمگیر تلفات هدایت (I²R) و افزایش راندمان کلی سیستم
-
جریان کاری بالا (78A): امکان کنترل بارهای با توان قابل توجه در یک پکیج SMD فشرده
-
پکیج D-PAK با قابلیت خنکسازی عالی: صفحه حرارتی بزرگ زیرین امکان انتقال مؤثر گرما به PCB را فراهم میکند
-
ولتاژ کاری 100V ایدهآل: مناسب برای سیستمهای باتری لیتیوم 48V (14S) و 72V/96V با حاشیه امنیتی کافی
🎯 جمعبندی:
NCEP0178AK یک MOSFET قدرت سطحنشین با عملکرد استثنایی است که ترکیب بهینهای از جریان بالا، مقاومت روشن پایین و قابلیت مدیریت حرارتی خوب را در یک پکیج SMD ارائه میدهد. این قطعه برای طراحیهای مدرن و فشردهای که نیاز به کنترل توان بالا با راندمان عالی در ولتاژهای متوسط دارند، گزینهای ایدهآل محسوب میشود. موفقیت در استفاده از آن مستقیماً به کیفیت طراحی حرارتی PCB و انتخاب صحیح درایور گیت بستگی دارد. این قطعه نمایانگر پیشرفت قابل توجه در فناوری نیمههادیهای قدرت سطحنشین است و میتواند جایگزین مناسبی برای راهحلهای Through-Hole در بسیاری از کاربردهای صنعتی و خودرویی باشد.