IRF7416PBF

IRF7416PBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P با مقاومت بسیار پایین و قابلیت جریان‌دهی بالا است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج فشرده SMD برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت با چگالی بالا طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: P-Channel

• ولتاژ درین-سورس: -۳۰V

• جریان درین پیوسته: -۱۰A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۲۰mΩ

• نوع بسته‌بندی: SO-8

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): -۳۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): -۱۰A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۲۰mΩ (در V_GS = -۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۲٫۵W

💡 کاربردهای اصلی:

• سیستم‌های مدیریت باتری (BMS)

• مبدل‌های DC-DC همزمان

• سوییچ‌های قطع و وصل بار

• کنترل‌کننده‌های موتور DC

• سیستم‌های توزیع قدرت در تجهیزات پرتابل

• کاربردهای فضامحدود با نیاز جریان بالا

✅ مزایا:

• مقاومت روشن بسیار پایین: تنها ۲۰ میلی‌اهم - کاهش تلفات هدایت

• جریان‌دهی بالا: ۱۰- آمپر در پکیج کوچک

• پکیج فشرده: SO-8 برای طراحی‌های کامپکت

• سوییچینگ سریع: مناسب برای مبدل‌های فرکانس بالا

• راندمان عالی: تلفات توان بسیار پایین

• حاشیه امنیت خوب: نسبت جریان به اندازه مطلوب

🎯 جمع‌بندی:

IRF7416PBF یک MOSFET کانال P استثنایی با ترکیب بی‌نظیر مقاومت پایین و ابعاد فشرده است. این قطعه برای کاربردهای مدرن که نیاز به جریان بالا در فضای محدود دارند، ایده‌آل می‌باشد. مقاومت RDS(on) بسیار پایین (۲۰mΩ)، تلفات هدایت را به حداقل می‌رساند و راندمان سیستم را به طور قابل توجهی بهبود می‌بخشد. توجه به محدودیت‌های حرارتی پکیج SO-8 و طراحی PCB مناسب برای دفع حرارت، کلید دستیابی به حداکثر عملکرد این ترانزیستور است. این قطعه گزینه‌ای برتر برای پروژه‌های نیازمند چگالی توان بالا و راندمان فوق‌العاده در کاربردهای کانال P می‌باشد.