SI2301DS-T1-GE3-VB

نام کارخانه‌ای:
SI2301DS-T1-GE3-VB
پکیج:
SOT-23 (SC-59)
بسته‌بندی:
Tape & Reel - 3,000 عدد
حداقل:
2 عدد
عنوان گروه:

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات SI2301DS-T1-GE3-VB

SI2301DS-T1-GE3-VB از خانواده ماسفت می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند VBsemi Electronics Co. Ltd
  • پکیج SOT-23 (SC-59)
  • جریان 3.1 آمپر
  • ولتاژ 20 ولت
  • مقاومت 112 میلی اهم
  • نوع نصب روی برد SMD/SMT
  • منفی یا مثبت P-Channel قطب
  • تعداد کانال 1 کانال

SI2301DS-T1-GE3-VB

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P است که توسط VBsemi Electronics Co. Ltd تولید شده است. این قطعه در پکیج فشرده SOT-23 ارائه می‌شود و راه‌حلی ایده‌آل برای کاربردهای سوئیچینگ ساید (High-Side Switching) با چگالی توان بالا در فضای محدود بردهای مدار چاپی مدرن می‌باشد.

🧩 مشخصات کلی:

  • نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

  • کانال: P-Channel

  • ولتاژ درین-سورس (Vds): -20V

  • جریان درین پیوسته (Id): -3.1A (در 25°C)

  • مقاومت روشن ((on)Rds): 112mΩ

  • نوع بسته‌بندی: SOT-23 (SC-59) (SMD/SMT)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

  • حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): -20V

  • جریان درین پیوسته (Id): -3.1A (در 25°C)

  • مقاومت درین-سورس ((on)Rds): 112mΩ

  • توان قابل تحمل (Pd): 1.25W (در 25°C)

💡 کاربردهای اصلی:

  • سوئیچینگ ساید (High-Side Switching) در سیستم‌های مبتنی بر میکروکنترلر

  • مدارهای مدیریت توان در دستگاه‌های قابل حمل (Portable Devices)

  • سیستم‌های قطع و وصل بار (Load Switching)

  • مبدل‌های DC-DC با کارایی بالا

  • کاربردهای صرفه‌جویی در توان (Power Saving Applications)

  • مدارهای محافظت و ایزولاسیون

  • کنترل روشنایی LED

  • سوئیچینگ باتری و مدیریت توان

✅ مزایا:

  • پکیج فوق‌العاده فشرده: SOT-23 برای طراحی‌های با تراکم بسیار بالا

  • مقاومت روشن پایین: ۱۱۲ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

  • سوئیچینگ بسیار سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا

  • جریان قابل توجه: ۳.۱ آمپر در پکیج کوچک

  • راندمان بالا: تلفات هدایت و سوئیچینگ بسیار پایین

  • نصب سطحی (SMD): مناسب برای تولید انبوه با فرآیند مونتاژ ماشینی

🎯 جمع‌بندی:
SI2301DS-T1-GE3-VB یک MOSFET کانال P فشرده و کارآمد است که ترکیب مناسبی از ولتاژ کاری، جریان و اندازه کوچک را ارائه می‌دهد. این قطعه برای طراحی‌های مدرنی که به سوئیچینگ ساید در فضای محدود نیاز دارند، گزینه‌ای ایده‌آل محسوب می‌شود. توانایی درایو مستقیم با ولتاژهای منطقی پایین (3.3V/5V) آن را برای پروژه‌های مبتنی بر آردوینو، Raspberry Pi و سایر بردهای توسعه مناسب ساخته است. با توجه به ابعاد کوچک و مقاومت حرارتی بالا، مدیریت حرارتی دقیق از طریق طراحی بهینه PCB برای دستیابی به حداکثر جریان مجاز کاملاً ضروری است. این قطعه نمونه‌ای عالی از تلفیق عملکرد کاربردی با ابعاد فوق‌العاده کوچک برای کاربردهای الکترونیکی مدرن است.



Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel =
Polarity P-Channel Type
Voltage (ds) 20 V =
Current (Id) 3.1 A =
Resistance (Rds) 112 =
Mounting Style SMD/SMT
Brand VBsemi Electronics Co. Ltd
Package SOT-23 (SC-59)




نظرات

موجود در انبار
34,100 ریال
33,700 ریال
100 عدد
33,500 ریال
200 عدد
33,400 ریال
500 عدد
33,200 ریال
1,000 عدد
33,000 ریال
3,000 عدد
32,700 ریال
12,000 عدد