لوگوی جوان الکترونیک فروشگاه اینترنتی جوان الکترونیک
  1. All Products
  2. Semiconductors
  3. RF Semiconductors
  4. RF Transistors
  5. RF MOSFET Transistors

RA50H8994M1

نام کارخانه‌ای:
RA50H8994M1
پکیج:
Module
دیتاشیت:
روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه

مشخصات RA50H8994M1

RA50H8994M1 از خانواده ماسفت RF می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Mitsubishi Electric
  • پکیج Module
  • نوع نصب روی برد Chassis Mount
  • منفی یا مثبت N-Channel قطب
  • ولتاژ 17 ولت
  • جریان 12.6 آمپر
  • حداقل دمای عملیاتی -30 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی +110 درجه سانتیگراد
  • بهره تقویت 30.4 دسی بل
  • توان خروجی 55 وات


Features انتخاب ویژگی
Polarity N-Channel Type
Gain 30.4 dB ≤ = ≥
Voltage (ds) 17 V ≤ = ≥
Output Power 55 W ≤ = ≥
Current (Id) 12.6 A ≤ = ≥
Mounting Style Chassis Mount
Minimum Operating Temperature -30 °C ≤ = ≥
Maximum Operating Temperature +110 °C ≤ = ≥
Brand Mitsubishi Electric
Package Module


نظرات
ارسال نظر جدید
سفارش دهید

پیش خرید کنید

محصول را به سبد سفارش اضافه کنید. ادامه فرآیند سفارش را دنبال کنید. قیمت و زمان تحویل را بررسی کنید. بعد از واریز پیش پرداخت موجودی اجناس در حال تامین برای شما حفظ خواهد شد.