BD912
یک ترانزیستور دو قطبی (BJT) از نوع PNP است که توسط STMicroelectronics تولید میشود. این قطعه در پکیج TO-220AB ارائه میگردد و یک ترانزیستور توان (Power) با جریان بسیار بالا محسوب میشود. این ترانزیستور بهطور خاص به عنوان جفت مکمل (Complementary Pair) ترانزیستور BD911 (NPN) طراحی شده است و مشخصات آن کاملاً متقارن با جفت خود است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور دو قطبی (BJT)
-
قطبیت: PNP
-
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): -100V
-
جریان کلکتور پیوسته (Ic): -15A
-
اتلاف توان (Pd): 90W
-
نوع بستهبندی: TO-220AB (Through-Hole، پکیج استاندارد توانافزا)
-
تعداد کانال: 1
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): -100V
-
حداکثر جریان کلکتور (Ic): -15A
-
حداکثر توان قابل تحمل (Pd): 90W
-
فرکانس قطع (fT): 3MHz
-
دامنه دمای عملیاتی پیوند: -65°C تا +150°C
💡 کاربردهای اصلی:
-
ترانزیستور سری (Pass Transistor) در رگولاتورهای خطی ولتاژ منفی با جریان خروجی بسیار بالا (تا 15 آمپر).
-
مرحله خروجی نهایی (Final Output Stage) در تقویتکنندههای صوتی پرقدرت (High-Power Audio Amplifiers) کلاس AB، بهعنوان جفت مکمل اصلی BD911 برای طراحی پوش-پول متقارن.
-
کنترلکنندههای موتور و درایورهای صنعتی برای موتورهای DC بزرگ با پلاریته منفی.
-
سوییچینگ کمسرعت بارهای القایی سنگین.
✅ مزایا:
-
جفت مکمل کامل و متقارن با BD911: طراحی شده برای عملکرد بهینه در مدارهای متقارن، با تطبیق بسیار خوب مشخصات الکتریکی و حرارتی.
-
جریان کلکتور بسیار بالا (15A): قابلیت کنترل مستقیم بارهای سنگین در پلاریته PNP.
-
ولتاژ کاری خوب (100V): امکان طراحی مدارهایی با ریل تغذیه منفی نسبتاً بالا.
-
پکیج استاندارد TO-220: پشتیبانی گسترده از هیتسینگهای مختلف.
-
هزینه مناسب: یک جفت مکمل قدرتمند و مقرونبهصرفه.
🎯 جمعبندی:
BD912 یک ترانزیستور PNP توانافزای کلاسیک است که بهطور انحصاری به عنوان مکمل قدرتمند BD911 عمل میکند. این جفت (BD911/BD912) یک راهحل استاندارد و در دسترس برای طراحی تقویتکنندههای صوتی پرقدرت متقارن و منابع تغذیه خطی دوطرفه با جریان خروجی بالا محسوب میشود. اگرچه از نظر فناوری قدیمی هستند و محدودیت سرعت پایین و نیاز به مدیریت حرارتی پیچیده دارند، اما به دلیل سادگی، هزینه پایین و در دسترس بودن هنوز در پروژههای صوتی کلاسیک، منابع تغذیه خطی صنعتی و تعمیرات مورد استفاده قرار میگیرند. موفقیت در استفاده از این جفت مستلزم طراحی حرارتی دقیق برای هر دو قطعه و طراحی مدار درایور مناسب است. برای کاربردهای سوییچینگ مدرن، جفتهای MOSFET N-Channel/P-Channel گزینههای کارآمدتری هستند.