MJ2955
یک ترانزیستور دو قطبی (BJT) از نوع PNP است که توسط STMicroelectronics تولید شده است. این قطعه در پکیج فلزی قدرتمند TO-3 ارائه میگردد و بهعنوان جفت مکمل (Complementary Pair) افسانهای ترانزیستور 2N3055 (NPN) شناخته میشود. طراحی آن دقیقاً مشابه 2N3055 اما با قطبیت معکوس، برای کاربردهای خطی و سوییچینگ کمسرعت با جریان بسیار بالا است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور دو قطبی (BJT)
-
قطبیت: PNP
-
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): -60V
-
جریان کلکتور پیوسته (Ic): -15A
-
اتلاف توان (Pd): 115W
-
نوع بستهبندی: TO-3 (Through-Hole، پکیج فلزی سنگین)
-
تعداد کانال: 1
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): -60V
-
حداکثر جریان کلکتور (Ic): -15A
-
حداکثر توان قابل تحمل (Pd): 115W
-
فرکانس قطع (fT): 3MHz
-
دامنه دمای عملیاتی پیوند: -65°C تا +200°C
💡 کاربردهای اصلی:
-
ترانزیستور سری (Pass Transistor) در رگولاتورهای خطی ولتاژ منفی و منابع تغذیه متقارن (Dual Rail) با جریان خروجی بسیار بالا.
-
مرحله خروجی نهایی (Final Output Stage) در تقویتکنندههای صوتی پرقدرت کلاس AB، بهعنوان جفت مکمل 2N3055 برای طراحی پوش-پول متقارن.
-
کنترلکنندههای شارژ باتری سنگین برای پلاریته منفی.
-
سوییچینگ کمسرعت در کنترلکنندههای موتور DC و سیستمهای صنعتی که نیاز به ترانزیستور PNP پرتوان دارند.
-
مکمل ایدهآل در طراحیهای قدیمی: هرجا که به یک 2N3055 در پیکربندی مکمل نیاز بود، MJ2955 حضور داشت.
✅ مزایا:
-
جفت مکمل کامل و معروف برای 2N3055: این دو با هم یک جفت استاندارد و بینظیر برای طراحی مدارهای پرقدرت متقارن قدیمی تشکیل میدادند.
-
همه ویژگیهای مستحکم 2N3055: دارای همان قابلیت اطمینان بالا، ساختار فلزی مستحکم و سادگی طراحی.
-
پکیج TO-3: قابلیت انتقال حرارت عالی برای مدیریت 115 وات.
-
مناسب برای کار خطی: مانند همتای NPN خود، برای استفاده به عنوان ترانزیستور سری در رگولاتورهای خطی طراحی شده است.
🎯 جمعبندی (مکمل یک افسانه):
MJ2955 مکمل همیشگی و جدا نشدنی 2N3055 در دوران طلایی ترانزیستورهای BJT قدرت است. این ترانزیستور نقش حیاتی در تکمیل طراحیهای متقارن و رگولاتورهای دوطرفه داشت. امروزه، سرنوشت آن کاملاً گره خورده با 2N3055 است؛ یک قطعه کلاسیک، منسوخ از نظر فنی برای کاربردهای نو، اما هنوز قابل احترام و گاهی ضروری برای تعمیرات، بازسازی دستگاههای قدیمی یا پروژههای آموزشی خاص. استفاده از آن تمامی چالشهای مدیریت حرارتی و راندمان پایین همتای NPN خود را دارد. برای هر طراحی جدید، جستوجو برای جایگزینهای مدرنتر (مانند MOSFETهای P-Channel) یک ضرورت مهندسی است.