MJE2955T
یک ترانزیستور دو قطبی (BJT) از نوع PNP است که توسط STMicroelectronics تولید میشود. این قطعه در پکیج TO-220AB ارائه میگردد و یک ترانزیستور توان (Power) با جریان بالا محسوب میشود. این ترانزیستور نسخهی پلاستیکی (TO-220) و بهروزرسانیشده از ترانزیستور کلاسیک فلزی MJ2955 (در پکیج TO-3) است و جفت مکمل (Complementary Pair) ترانزیستور MJE3055T (NPN) میباشد.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور دو قطبی (BJT)
-
قطبیت: PNP
-
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): -60V
-
جریان کلکتور پیوسته (Ic): -10A
-
اتلاف توان (Pd): 75W
-
نوع بستهبندی: TO-220AB (Through-Hole، پکیج پلاستیکی استاندارد توانافزا)
-
تعداد کانال: 1
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): -60V
-
حداکثر جریان کلکتور (Ic): -10A
-
حداکثر توان قابل تحمل (Pd): 75W
-
فرکانس قطع (fT): 2MHz
-
دامنه دمای عملیاتی پیوند: -55°C تا +150°C
💡 کاربردهای اصلی:
-
ترانزیستور سری (Pass Transistor) در رگولاتورهای خطی ولتاژ منفی با جریان خروجی بالا (تا 10 آمپر).
-
مرحله خروجی نهایی (Final Output Stage) در تقویتکنندههای صوتی پرقدرت (High-Power Audio Amplifiers) کلاس AB، بهعنوان جفت مکمل MJE3055T.
-
کنترلکنندههای موتور و درایورهای صنعتی برای موتورهای DC با اندازه متوسط.
-
سوییچینگ کمسرعت بارهای القایی.
✅ مزایا:
-
پکیج مدرن TO-220: نسبت به نسخه فلزی قدیمی (TO-3)، ایزوله است (بدنه پلاستیکی) و نیاز به واشر عایق ندارد. همچنین سبکتر و دارای پایهبندی استانداردتر است.
-
جفت مکمل استاندارد: همراه با MJE3055T یک جفت مکمل محبوب و در دسترس برای طراحی مدارهای متقارن پرقدرت تشکیل میدهد.
-
جریان قابل توجه (10A): قابلیت کنترل بارهای با جریان بالا.
-
قابلیت اطمینال خوب و قیمت مناسب: از یک تولیدکننده معتبر به عنوان یک قطعه استاندارد صنعتی.
🎯 جمعبندی:
MJE2955T یک ترانزیستور PNP توانافزای کلاسیک و بهروزرسانیشده است که مشخصات اصلی ترانزیستور معروف MJ2955 را در یک پکیج پلاستیکی مدرن و ایزوله (TO-220) ارائه میدهد. این قطعه به همراه جفت مکمل خود (MJE3055T) یک انتخاب متداول و مطمئن برای طراحی تقویتکنندههای صوتی پرقدرت، منابع تغذیه خطی و درایورهای صنعتی کمسرعت است. نقطه قوت آن ترکیب جریان قابل توجه (10A)، قابلیت اطمینان و در دسترس بودن است، در حالی که محدودیت سرعت پایین (2MHz) بزرگترین ضعف آن برای کاربردهای نوین محسوب میشود. موفقیت در استفاده از آن مستلزم طراحی حرارتی دقیق و درک محدودیتهای فرکانسی آن است. برای کاربردهای سوییچینگ پرسرعت، MOSFETهای P-Channel گزینه بهینهتری هستند.