MJE3055T
یک ترانزیستور دو قطبی (BJT) از نوع NPN است که توسط STMicroelectronics تولید میشود. این قطعه در پکیج TO-220AB ارائه میگردد و یک ترانزیستور توان (Power) با جریان بالا محسوب میشود. این ترانزیستور نسخهی پلاستیکی (TO-220) و بهروزرسانیشده از ترانزیستور کلاسیک فلزی 2N3055 (در پکیج TO-3) است و جفت مکمل (Complementary Pair) ترانزیستور MJE2955T (PNP) میباشد.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور دو قطبی (BJT)
-
قطبیت: NPN
-
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): 60V
-
جریان کلکتور پیوسته (Ic): 10A
-
اتلاف توان (Pd): 75W
-
نوع بستهبندی: TO-220AB (Through-Hole، پکیج پلاستیکی استاندارد توانافزا)
-
تعداد کانال: 1
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): 60V
-
حداکثر جریان کلکتور (Ic): 10A
-
حداکثر توان قابل تحمل (Pd): 75W
-
فرکانس قطع (fT): 2MHz
-
دامنه دمای عملیاتی پیوند: -55°C تا +150°C
💡 کاربردهای اصلی:
-
ترانزیستور سری (Pass Transistor) در رگولاتورهای خطی (Linear Regulators) و استابلایزرهای ولتاژ با جریان خروجی بالا (تا 10 آمپر).
-
مرحله خروجی نهایی (Final Output Stage) در تقویتکنندههای صوتی پرقدرت (High-Power Audio Amplifiers) کلاس AB، بهعنوان جفت مکمل MJE2955T.
-
کنترلکنندههای موتور و درایورهای صنعتی برای موتورهای DC با اندازه متوسط.
-
سوییچینگ کمسرعت بارهای القایی.
✅ مزایا:
-
پکیج مدرن TO-220: نسبت به نسخه فلزی قدیمی (TO-3)، ایزوله است (بدنه پلاستیکی) و نیاز به واشر عایق ندارد. همچنین سبکتر و دارای پایهبندی استانداردتر برای هیتسینگهای امروزی است.
-
جفت مکمل استاندارد: همراه با MJE2955T یک جفت مکمل محبوب، در دسترس و کاملاً متقارن برای طراحی مدارهای پرقدرت تشکیل میدهد.
-
جریان قابل توجه (10A): قابلیت کنترل بارهای با جریان بالا.
-
قابلیت اطمینان خوب و قیمت مناسب: یک قطعه استاندارد صنعتی با سابقه طولانی.
🎯 جمعبندی:
MJE3055T یک ترانزیستور NPN توانافزای کلاسیک و بهروزرسانیشده است که میراث ترانزیستور افسانهای 2N3055 را در یک پکیج پلاستیکی مدرن و ایزوله (TO-220) ادامه میدهد. این جفت (MJE3055T/MJE2955T) یک انتخاب استاندارد، مطمئن و مقرونبهصرفه برای طراحی تقویتکنندههای صوتی پرقدرت، منابع تغذیه خطی صنعتی و درایورهای کمسرعت است. نقطه قوت اصلی آن سادگی، در دسترس بودن و قابلیت اطمینان در کاربردهای خطی است، در حالی که محدودیت سرعت پایین (2MHz) استفاده از آن را در مدارهای سوییچینگ مدرن غیرممکن میسازد. موفقیت در استفاده از آن مستلزم طراحی حرارتی دقیق است. برای کاربردهای پرسرعت و کارآمد، MOSFETها جایگزین بهینهای هستند.