TIP36C

TIP36C
یک ترانزیستور دو قطبی (BJT) از نوع PNP است که توسط STMicroelectronics تولید می‌شود. این قطعه در پکیج TO-247AC (نسخه تمام پلاستیکی از TO-247) ارائه می‌گردد و یک ترانزیستور توان (Power) با جریان و ولتاژ بسیار بالا محسوب می‌شود. این ترانزیستور عضو سری TIP3x بوده و جفت مکمل (Complementary Pair) ترانزیستور TIP35C (NPN) است. حرف "C" در انتهای نام نشان‌دهنده درجه ولتاژ بالاتر در این سری است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور دو قطبی (BJT)

• قطبیت: PNP

• ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): -100V 

• جریان کلکتور پیوسته (Ic): -25A 

• اتلاف توان (Pd): 125W 

• نوع بسته‌بندی: TO-247AC (Through-Hole، پکیج پلاستیکی قدرتمند برای نصب روی هیت‌سینگ)

• تعداد کانال: 1

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): -100V

• حداکثر جریان کلکتور (Ic): -25A

• حداکثر توان قابل تحمل (Pd): 125W 

• فرکانس قطع (fT): 3MHz 

• دامنه دمای عملیاتی پیوند: -65°C تا +150°C

💡 کاربردهای اصلی:

• ترانزیستور سری (Pass Transistor) در رگولاتورهای خطی ولتاژ منفی با جریان خروجی فوق‌العاده بالا (تا 25 آمپر).

• مرحله خروجی نهایی (Final Output Stage) در تقویت‌کننده‌های صوتی (آمپلی‌فایر) بسیار پرقدرت کلاس AB، به‌عنوان جفت مکمل TIP35C برای طراحی پوش-پول متقارن.

• کنترل‌کننده‌های موتور و درایورهای صنعتی برای موتورهای DC بزرگ با پلاریته منفی.

• سوییچینگ کم‌سرعت بارهای القایی سنگین در سیستم‌های کنترل صنعتی.

✅ مزایا:

• جریان کلکتور عظیم (25A): اصلی‌ترین نقطه قوت، امکان کنترل مستقیم بارهای صنعتی سنگین‌وزن در پلاریته PNP.

• ولتاژ کاری خوب (100V): امکان طراحی مدارهایی با ریل تغذیه منفی نسبتاً بالا.

• پکیج قدرتمند و ایزوله TO-247AC: قابلیت انتقال حرارت عالی و عدم نیاز به عایق‌کاری بین ترانزیستور و هیت‌سینگ.

🎯 جمع‌بندی:
TIP36C یک ترانزیستور توانی PNP غول‌پیکر از نسل قدیم BJT است که به‌طور خاص به عنوان مکمل سنگین‌وزن TIP35C طراحی شده است. این قطعه نمونه‌ای نادر و افراطی از ترانزیستورهای PNP توان بالا در دوران اوج سلطه BJTها است. استفاده از آن در طراحی‌های جدید تقریباً به کلی منسوخ شده است و کاربرد امروزی آن عمدتاً به تعمیرات دستگاه‌های صنعتی یا صوتی بسیار قدیمی و پرقدرت محدود می‌شود. طراحی با TIP36C چالش‌های مهندسی پیچیده‌ای در مدیریت حرارتی، درایو و راندمان ایجاد می‌کند که در دنیای مدرن با انتخاب قطعات بهینه‌تر (مانند MOSFET) به راحتی قابل اجتناب است. این ترانزیستور بیشتر یک قطعه موزه‌ای و آموزشی برای درک اوج فناوری BJTهای قدرت محسوب می‌شود.