2SK2611
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N است که توسط Toshiba Corporation تولید شده است. این قطعه در پکیج صنعتی TO-247AD (TO-3P) ارائه میشود و برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ فوقالعاده بالا طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
-
کانال: N-Channel
-
ولتاژ درین-سورس (Vds): 900V
-
جریان درین پیوسته (Id): 9A (در 25°C)
-
مقاومت روشن (Rds(on)): 1.4Ω
-
نوع بستهبندی: TO-247AD (TO-3P) (Through-Hole)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 900V
-
جریان درین پیوسته (Id): 9A (در 25°C)
-
مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 1.4Ω
-
توان قابل تحمل (Pd): 150W
💡 کاربردهای اصلی:
-
منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی (SMPS) با ولتاژ بسیار بالا
-
اینورترهای خورشیدی و صنعتی
-
سیستمهای UPS صنعتی
-
مدارهای کنترل روشنایی LED با ولتاژ بالا
-
مبدلهای DC-DC با ولتاژ ورودی بالا
-
سیستمهای کنترل موتور با ولتاژ بالا
-
منابع تغذیه پزشکی و تجهیزات صنعتی
✅ مزایا:
-
ولتاژ کاری فوقالعاده بالا: 900 ولت برای کاربردهای پیشرفته صنعتی
-
سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط
-
پکیج TO-247AD: مدیریت حرارتی عالی برای اتلاف توان بالا
-
قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط کاری سخت
-
دیود بدنۀ داخلی: دارای دیود بدنۀ بازیابی سریع
-
مقاومت در برابر استرس الکتریکی: طراحی شده برای محیطهای صنعتی
-
هزینه بهینه: راهحلی اقتصادی برای کاربردهای ولتاژ بالا
🎯 جمعبندی:
2SK2611 یک MOSFET کانال N قابل اعتماد و کاربردی است که ترکیب مناسبی از ولتاژ فوقالعاده بالا (900V) و جریان متوسط (9A) را ارائه میدهد. این قطعه برای کاربردهایی که به ولتاژ بسیار بالا با قابلیت اطمینان نیاز دارند، گزینهای مناسب محسوب میشود. پکیج TO-247AD امکان مدیریت حرارتی مؤثر را برای اتلاف توان 150 واتی فراهم میکند. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیتسینک مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور در کاربردهای ولتاژ بسیار بالا کاملاً ضروری است. این قطعه نمونهای متعادل از عملکرد و هزینه برای کاربردهای ولتاژ فوقالعاده بالا با جریان متوسط میباشد.