IRF640NPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با ولتاژ کاری بالا و قابلیت اطمینان مناسب است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ پرولتاژ طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۲۰۰V
-
جریان درین پیوسته (I_D): ۱۸A (در ۲۵°C)
-
مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱۵۰mΩ (در V_GS = ۱۰V)
-
توان قابل تحمل (P_D): ۱۲۵W
-
مقاومت حرارتی (R_θJC): ۱°C/W
💡 کاربردهای اصلی:
✅ مزایا:
-
ولتاژ کاری بالا: ۲۰۰ ولت برای کاربردهای صنعتی
-
جریاندهی مناسب: ۱۸ آمپر پیوسته
-
پکیج استاندارد: TO-220AB برای مدیریت حرارتی خوب
-
قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط مختلف
-
سازگاری گسترده: جایگزین مستقیم برای بسیاری از مدلهای مشابه
-
هزینه بهینه: مقرون بهصرفه برای کاربردهای عمومی
🎯 جمعبندی:
IRF640NPBF یک MOSFET قدرت با عملکرد مطمئن برای کاربردهای پرولتاژ است. این قطعه با ترکیب ولتاژ کاری ۲۰۰ ولتی و جریان ۱۸ آمپری، راهحلی اقتصادی و قابل اعتماد برای سوییچینگ لو-ساید ارائه میدهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم میکند. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیتسینک در صورت نیاز برای دستیابی به عملکرد بهینه ضروری است. این ترانزیستور گزینهای مناسب برای پروژههای صنعتی نیازمند ولتاژ بالا و قابلیت اطمینان مناسب میباشد.