IRF9530NPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P با ولتاژ کاری بالا و قابلیت اطمینان مناسب است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ ساید-های (High-Side) پرولتاژ طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): -۱۰۰V
-
جریان درین پیوسته (I_D): -۱۴A (در ۲۵°C)
-
مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۲۰۰mΩ (در V_GS = -۱۰V)
-
توان قابل تحمل (P_D): ۷۴W
-
مقاومت حرارتی (R_θJC): ۱٫۶°C/W
💡 کاربردهای اصلی:
-
سوییچینگ ساید-های (High-Side) در منابع تغذیه
-
کنترلکنندههای موتور DC
-
سیستمهای مدیریت باتری
-
مدارهای قطع و وصل بار (Load Switch)
-
مبدلهای DC-DC
-
کاربردهای عمومی صنعتی با ولتاژ بالا
✅ مزایا:
-
ولتاژ کاری بالا: -۱۰۰ ولت برای کاربردهای صنعتی
-
جریاندهی مناسب: -۱۴ آمپر پیوسته
-
پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی خوب و نصب آسان
-
بار گیت پایین: ۶۴nC برای درایو نسبتاً ساده
-
قابلیت اطمینان: عملکرد پایدار در شرایط کاری مختلف
-
هزینه بهینه: مقرون بهصرفه برای کاربردهای عمومی
🎯 جمعبندی:
IRF9530NPBF یک MOSFET کانال P با عملکرد مطمئن برای کاربردهای پرولتاژ ساید-های است. این قطعه با ترکیب ولتاژ کاری -۱۰۰ ولتی و جریان ۱۴- آمپری، راهحلی اقتصادی و قابل اعتماد برای سوییچینگ ساید-های ارائه میدهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مناسب را فراهم کرده و برای کاربردهای با توان متوسط ایدهآل است. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیتسینک در صورت نیاز برای دستیابی به عملکرد بهینه ضروری است. این ترانزیستور گزینهای مناسب برای پروژههای صنعتی نیازمند سوییچینگ ساید-های با ولتاژ بالا میباشد.