IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P با قابلیت‌های متعادل و طراحی بهینه است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ ساید-های (High-Side) با کارایی مناسب طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: P-Channel

• ولتاژ درین-سورس: -۵۵V

• جریان درین پیوسته: -۱۹A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۱۰۰mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): -۵۵V

• جریان درین پیوسته (I_D): -۱۹A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱۰۰mΩ (در V_GS = -۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۷۴W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۱٫۶°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• سوییچینگ ساید-های (High-Side) در منابع تغذیه

• کنترل‌کننده‌های موتور DC

• سیستم‌های مدیریت باتری

• مدارهای قطع و وصل بار (Load Switch)

• مبدل‌های DC-DC

• کاربردهای عمومی صنعتی

✅ مزایا:

• ولتاژ کاری مناسب: -۵۵ ولت برای کاربردهای صنعتی

• جریان‌دهی خوب: -۱۹ آمپر پیوسته

• مقاومت روشن پایین: ۱۰۰ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی خوب و نصب آسان

• بار گیت پایین: ۵۵nC برای درایو ساده

• قابلیت اطمینان: عملکرد پایدار در شرایط کاری مختلف

• هزینه بهینه: مقرون به‌صرفه برای کاربردهای عمومی

🎯 جمع‌بندی:

IRF9Z34NPBF یک MOSFET کانال P با عملکرد متعادل برای کاربردهای ساید-های است. این قطعه با ترکیب ولتاژ کاری -۵۵ ولتی، جریان ۱۹- آمپری و مقاومت پایین، راه‌حلی اقتصادی و قابل اعتماد برای سوییچینگ ساید-های ارائه می‌دهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مناسب را فراهم کرده و برای کاربردهای با توان متوسط ایده‌آل است. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیت‌سینک در صورت نیاز برای دستیابی به عملکرد بهینه ضروری است. این ترانزیستور گزینه‌ای مناسب برای پروژه‌های صنعتی نیازمند سوییچینگ ساید-های با کارایی متعادل می‌باشد.