لوگوی جوان الکترونیک فروشگاه اینترنتی جوان الکترونیک
  1. All Products
  2. Semiconductors
  3. Discrete Semiconductors
  4. Transistors
  5. Bipolar Transistors-BJT

MMBT5551LT1G

نام کارخانه‌ای:
MMBT5551LT1G
مارکینگ:
G1
پکیج:
SOT-23 (SC-59)
بسته‌بندی:
Tape & Reel - 3,000 عدد
حداقل:
4 عدد
دیتاشیت:
روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه

مشخصات MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G از خانواده ترانزیستور دو قطبی می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند ON Semiconductor
  • پکیج SOT-23 (SC-59)
  • نوع نصب روی برد SMD/SMT
  • تعداد کانال 1 کانال
  • منفی یا مثبت NPN قطب
  • اتلاف قدرت 225 میلی وات
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 160 ولت
  • جریان کلکتور 600 میلی آمپر
  • حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
  • فرکانس 100 مگا هرتز

MMBT5551LT1G
یک ترانزیستور دو قطبی (BJT) از نوع NPN است که توسط ON Semiconductor تولید می‌شود. این قطعه در پکیج SMD/SMT بسیار کوچک SOT-23 (SC-59) ارائه می‌شود و به‌عنوان یک ترانزیستور سیگنال ولتاژ بسیار بالا شناخته می‌شود. این قطعه جفت مکمل (Complementary Pair) ترانزیستور MMBT5401LT1G (PNP) است.

🧩 مشخصات کلی:

  • نوع: ترانزیستور دو قطبی (BJT)

  • قطبیت: NPN

  • ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): 160V 

  • جریان کلکتور پیوسته (Ic): 600mA

  • اتلاف توان (Pd): 225mW

  • نوع بسته‌بندی: SOT-23 (SC-59) (Surface-Mount)

  • تعداد کانال: 1

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

  • حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): 160V 

  • حداکثر جریان کلکتور (Ic): 600mA

  • حداکثر توان قابل تحمل (Pd): 225mW

  • فرکانس قطع (fT): 100MHz 

  • دامنه دمای عملیاتی پیوند: -55°C تا +150°C

💡 کاربردهای اصلی:

  • سوییچینگ ولتاژ بالا با جریان متوسط در منابع تغذیه، کنترل‌کننده‌ها و مدارهای تلهمتری.

  • درایور ولتاژ بالا برای MOSFET‌ها، نمایشگرهای پلاسمایی یا دیگر بارهای خاص.

  • تقویت سیگنال آنالوگ در مدارهای پیش‌تقویت کننده (پری‌آمپ) ولتاژ بالا.

  • مدارهای اسیلاتور و مولد پالس با دامنه ولتاژ بالا.

  • مرحله خروجی در تقویت‌کننده‌های ولتاژ بالا با جریان کم.

  • جفت مکمل ولتاژ بالا: در کنار MMBT5401LT1G برای طراحی مدارهای پوش-پول متقارن در ولتاژهای بالا.

  • جایگزین سطح‌نصب برای ترانزیستورهای NPN ولتاژ بالا مانند 2N5551.

✅ مزایا:

  • ولتاژ تحمل بسیار بالا (160V) در پکیج کوچک: قابلیت منحصربه‌فردی که طراحی مدارهای ولتاژ بالا را در فضای فوق‌العاده فشرده ممکن می‌سازد.

  • جریان کلکتور مناسب (600mA): برای درایو مستقیم بسیاری از بارهای ولتاژ بالا کافی است.

  • پکیج SOT-23 استاندارد: ابعاد مینیاتوری، ایده‌آل برای طراحی‌های مدرن و پرتراکم.

  • جفت مکمل ولتاژ بالا: وجود جفت PNP مکمل (MMBT5401LT1G) امکان طراحی مدارهای کاملاً متقارن در ولتاژهای خطرناک را فراهم می‌کند.

  • دامنه دمای عملیاتی وسیع: قابلیت اطمینان در شرایط محیطی مختلف.

🎯 جمع‌بندی:
MMBT5551LT1G یک ترانزیستور NPN سطح‌نصب (SMD) تخصصی با قابلیت تحمل ولتاژ بسیار بالا (160V) است که مشخصات ترانزیستور مشهور 2N5551 را در یک پکیج مینیاتوری SOT-23 ارائه می‌دهد. این قطعه شاه‌کلید طراحی‌های فشرده‌ای است که نیاز به کار با ولتاژهای بالا دارند. ترکیب ولتاژ 160V و جریان 600mA در چنین اندازه کوچکی، آن را به انتخابی بی‌نظیر برای کاربردهای سوییچینگ ولتاژ بالا، درایورهای تخصصی و منابع تغذیه فشرده تبدیل می‌کند. موفقیت در استفاده از آن منوط به رعایت دقیق اصول ایمنی برق فشار، طراحی صحیح فاصله‌های عایقی روی PCB و مدیریت حرارتی مناسب می‌باشد.



Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel ≤ = ≥
Polarity NPN Type
Collector Emitter Voltage (VCEO) 160 V ≤ = ≥
DC Collector Current 600 mA ≤ = ≥
Gain Bandwidth Product (fT) 100 MHz ≤ = ≥
Power Dissipation 225 mW ≤ = ≥
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -55 °C ≤ = ≥
Maximum Operating Temperature 150 °C ≤ = ≥
Brand ON Semiconductor
Package SOT-23 (SC-59)



نظرات
ارسال نظر جدید
موجود در انبار
85
12,500 ریال
12,300 ریال
200 عدد
12,300 ریال
500 عدد
12,200 ریال
1,000 عدد
12,100 ریال
3,000 عدد
12,100 ریال
21,000 عدد