FDS4410

FDS4410 
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با مقاومت بسیار پایین و قابلیت جریان‌دهی بالا است که توسط Fairchild Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج فشرده SMD برای کاربردهای سوییچینگ قدرت با چگالی بالا طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۳۰V

• جریان درین پیوسته: ۱۰A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۹٫۸mΩ

• نوع بسته‌بندی: SO-8

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۳۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۱۰A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۹٫۸mΩ (در V_GS = ۱۰V)

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۲۰V

• آستانه ولتاژ گیت (V_GS(th)): ۱-۲V

• بار گیت کل (Q_g): ۲۵nC (تیپیکال)

• توان قابل تحمل (P_D): ۲٫۵W

• مقاومت حرارتی (R_θJA): ۵۰°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• مبدل‌های DC-DC با کارایی بالا

• مدیریت توان در پردازنده‌ها و GPUها

• سیستم‌های توزیع قدرت در سرورها

• درایورهای موتور DC در رباتیک

• سوییچ‌های بار در سیستم‌های باتری

• کاربردهای فضامحدود با نیاز جریان بالا

✅ مزایا:

• مقاومت روشن بسیار پایین: تنها ۹٫۸ میلی‌اهم - کاهش تلفات هدایت

• جریان‌دهی بالا: ۱۰ آمپر در پکیج کوچک

• پکیج فشرده: SO-8 برای طراحی‌های کامپکت

• سوییچینگ سریع: مناسب برای مبدل‌های فرکانس بالا

• راندمان عالی: تلفات توان بسیار پایین

• حاشیه امنیت خوب: نسبت جریان به اندازه مطلوب

🎯 جمع‌بندی:

FDS4410 یک MOSFET قدرت استثنایی با ترکیب بی‌نظیر مقاومت پایین و ابعاد فشرده است. این قطعه برای کاربردهای مدرن که نیاز به جریان بالا در فضای محدود دارند، ایده‌آل می‌باشد. مقاومت RDS(on) زیر ۱۰ میلی‌اهم، تلفات هدایت را به حداقل می‌رساند و راندمان سیستم را به طور قابل توجهی بهبود می‌بخشد. توجه به محدودیت‌های حرارتی پکیج SO-8 و طراحی PCB مناسب برای دفع حرارت، کلید دستیابی به حداکثر عملکرد این ترانزیستور است. این قطعه گزینه‌ای برتر برای پروژه‌های نیازمند چگالی توان بالا و راندمان فوق‌العاده می‌باشد.