IRF7317

IRF7317
یک جفت ترانزیستور قدرت مکمل (N-Channel + P-Channel) با عملکرد بالا و طراحی فشرده است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه با مقاومت روشن بسیار پایین، برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت با راندمان عالی طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: جفت ترانزیستور قدرت مکمل (Complementary Pair)

• کانال: ۱x N-Channel + ۱x P-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۲۰V

• جریان درین پیوسته: ۶٫۶A (برای هر دو کانال)

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۲۹mΩ

• نوع بسته‌بندی: SO-8

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۲۰V

• جریان درین پیوسته (I_D):

  • N-Channel: ۶٫۶A

  • P-Channel: -۶٫۶A

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۲۹mΩ (در V_GS = ۴٫۵V)

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۱۲V

  • توان قابل تحمل (P_D): ۲W

💡 کاربردهای اصلی:

• درایورهای موتور DC و سروو

• مبدل‌های DC-DC همزمان با راندمان بالا

• سیستم‌های مدیریت باتری (BMS)

• سوییچ‌های ساید-های/لو-ساید پیشرفته

• مدارهای پوش-پول (Push-Pull)

• کاربردهای فضامحدود با نیاز به عملکرد بالا

✅ مزایا:

• مقاومت روشن بسیار پایین: تنها ۲۹ میلی‌اهم - کاهش چشمگیر تلفات

• جریان‌دهی عالی: ۶٫۶ آمپر برای هر دو کانال

• طراحی مکمل متعادل: عملکرد هماهنگ N-Channel و P-Channel

• پکیج فشرده: SO-8 برای طراحی‌های کامپکت

• سوییچینگ فوق‌العاده سریع: مناسب برای فرکانس‌های کاری بسیار بالا

• هماهنگی حرارتی ایده‌آل: عملکرد پایدار تحت بارهای سنگین

🎯 جمع‌بندی:

IRF7317 یک راه‌حل استثنایی برای کاربردهای پرتوان در فضای محدود است. این قطعه با ترکیب دو ترانزیستور مکمل با مقاومت RDS(on) بسیار پایین (۲۹mΩ) و جریان‌دهی قابل توجه (۶٫۶A)، امکان طراحی مدارات با راندمان فوق‌العاده را فراهم می‌کند. پکیج SO-8 امکان طراحی فشرده را میسر ساخته، در حالی که مشخصات الکتریکی برتر، عملکرد در سطح سیستم‌های پرتوان را تضمین می‌کند. این ترانزیستور گزینه‌ای برتر برای طراحی‌های مدرن نیازمند چگالی توان بسیار بالا و راندمان عالی می‌باشد.