IRFR220NTRPBF

IRFR220NTRPBF

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N از سری HEXFET است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج سطح‌بندی شده D-PAK ارائه می‌شود و راه‌حلی متعادل برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ متوسط و جریان پایین تا متوسط است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 200V

• جریان درین پیوسته (Id): 5A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 600mΩ 

• نوع بسته‌بندی: TO-252 (DPAK) (SMD/SMT)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 200V

• جریان درین پیوسته (Id): 5A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 600mΩ 

• توان قابل تحمل (Pd): 45W

💡 کاربردهای اصلی:

• سوئیچینگ منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با توان متوسط

• مدارهای کنترل موتورهای DC کوچک

• درایورهای سولنوئید و رله

• مدارهای اینورتر با توان پایین

• سیستم‌های روشنایی LED

• منابع تغذیه صنعتی و مصرفی

• کاربردهای عمومی سوئیچینگ با ولتاژ متوسط

✅ مزایا:

• ولتاژ کاری مناسب: 200 ولت برای کاربردهای صنعتی و مصرفی

• پکیج DPAK: طراحی شده برای نصب سطحی با قابلیت مدیریت حرارتی خوب از طریق تَب (Tab) فلزی

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

• قابلیت اطمینان بالا: فناوری HEXFET تضمین‌کننده عملکرد پایدار

• هزینه بهینه: ارائه عملکرد کافی با قیمت بسیار مقرون به صرفه

• نصب سطحی (SMD): مناسب برای تولید انبوه با استفاده از فرآیند مونتاژ ماشینی

🎯 جمع‌بندی:
IRFR220NTRPBF یک MOSFET کانال N قابل اعتماد و مقرون به صرفه در پکیج سطح‌بندی شده DPAK است. این قطعه گزینه‌ای مناسب برای کاربردهای سوئیچینگ عمومی با ولتاژ متوسط (200V) و جریان متوسط (5A) محسوب می‌شود. پکیج DPAK امکان مدیریت حرارتی مؤثرتر نسبت به پکیج‌های SMD کوچک‌تر را فراهم می‌کند. این قطعه تعادل مناسبی بین ولتاژ کاری، جریان و هزینه برقرار کرده و برای طیف وسیعی از کاربردهای صنعتی و مصرفی مناسب است. برای دستیابی به بهترین عملکرد، توجه به طراحی مناسب PCB برای دفع حرارت از طریق pad مسی کافی توصیه می‌شود.