IRFR9014TRPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج سطحبندی شده D-PAK ارائه میشود و راهحلی کارآمد برای کاربردهای سوئیچینگ ساید (Side Switching) یا کنترل بارهای متصل به منبع تغذیه (High-Side Switching) است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
-
کانال: P-Channel
-
ولتاژ درین-سورس (Vds): -60V
-
جریان درین پیوسته (Id): -5.1A (در 25°C)
-
مقاومت روشن (Rds(on)): 500mΩ
-
نوع بستهبندی: TO-252 (DPAK) (SMD/SMT)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): -60V
-
جریان درین پیوسته (Id): -5.1A (در 25°C)
-
مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 500mΩ
-
توان قابل تحمل (Pd): 45W
💡 کاربردهای اصلی:
-
سوئیچینگ ساید (High-Side Switching) در مدارهای منبع تغذیه
-
مدارهای مدیریت توان (Power Management) در سیستمهای مبتنی بر باتری
-
کنترل بار در کاربردهای اتومبیل (Automotive)
-
مدارهای قطع ارتباط بار (Load Disconnect)
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
اینورترهای DC-AC
-
کاربردهای عمومی سوئیچینگ با پلاریته منفی
✅ مزایا:
-
سوئیچینگ ساده در ساید بالا: امکان کنترل مستقیم بارهای متصل به منبع تغذیه اصلی
-
مقاومت روشن پایین: 500 میلیاهم برای تلفات هدایت کم
-
پکیج DPAK: طراحی شده برای نصب سطحی با قابلیت مدیریت حرارتی خوب
-
سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط
-
هزینه بهینه: ارائه عملکرد کافی با قیمت مقرون به صرفه
-
نصب سطحی (SMD): مناسب برای تولید انبوه
🎯 جمعبندی:
IRFR9014TRPBF یک MOSFET کانال P قابل اعتماد و مقرون به صرفه در پکیج سطحبندی شده DPAK است. این قطعه گزینهای ایدهآل برای کاربردهای سوئیچینگ ساید و کنترل بارهایی است که نیاز به قطع و وصل شدن از سمت منبع تغذیه دارند. ترکیب ولتاژ -60V و جریان -5.1A آن را برای طیف وسیعی از کاربردهای صنعتی و مصرفی مناسب ساخته است. برای دستیابی به بهترین عملکرد، توجه به پلاریته معکوس ولتاژهای اعمالی (ولتاژهای منفی برای درین و گیت) و همچنین طراحی مناسب PCB برای دفع حرارت ضروری است.