IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF 
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P با قابلیت درایو توسط سطح منطقی (Logic Level) و طراحی فوق فشرده است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج SOT-23 برای کاربردهای سوئیچینگ کم‌توان و فضامحدود طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: P-Channel

• ولتاژ درین-سورس: -۲۰V

• جریان درین پیوسته: -۳٫۷A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۶۵mΩ

• نوع بسته‌بندی: SOT-23 (SC-59)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): -۲۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): -۳٫۷A (در ۲۵°C)

• توان قابل تحمل (P_D): ۱٫۳W

• مقاومت حرارتی (R_θJA): ۱۵۰°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• سوییچینگ ساید-های (High-Side) در سیستم‌های پرتابل

• مدیریت توان در دستگاه‌های مبتنی بر باتری

• مدارهای قطع و وصل بار (Load Switch)

• کنترل‌کننده‌های شارژ باتری

• سیستم‌های Power Management

• کاربردهای عمومی الکترونیک در فضای محدود

✅ مزایا:

• قابلیت درایو با سطح منطقی: عملکرد در V_GS = -۲٫۵V

• پکیج فوق فشرده: SOT-23 برای طراحی‌های کامپکت

• بار گیت پایین: ۱۲nC برای درایو ساده

• سوییچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای دیجیتال

• مقاومت روشن پایین: ۶۵ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• هزینه بهینه: مقرون به‌صرفه برای کاربردهای انبوه

🎯 جمع‌بندی:

IRLML6402TRPBF یک MOSFET کانال P منطقی با ابعاد فوق فشرده و کارایی مناسب برای کاربردهای کم‌توان است. این قطعه با قابلیت درایو مستقیم توسط خروجی میکروکنترلرها و پکیج بسیار کوچک SOT-23، راه‌حلی ایده‌آل برای طراحی‌های مدرن فشرده ارائه می‌دهد. مقاومت RDS(on) پایین (۶۵mΩ) و جریان ۳٫۷- آمپری آن را برای سوییچینگ بارهای کوچک تا متوسط در کاربردهای ساید-های مناسب ساخته است. توجه به محدودیت‌های حرارتی ذاتی پکیج SOT-23 برای جلوگیری از بیش از حد گرم شدن ضروری می‌باشد. این ترانزیستور گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌های پرتابل و فضامحدود نیازمند سوییچینگ ساید-های می‌باشد.