NDS356AP

NDS356AP 

یک ترانزیستور ماسفت کانال-P با قابلیت کار در سطح منطقی (Logic Level) که توسط شرکت Fairchild Semiconductor تولید شده است. این قطعه با تکنولوژی SuperSOT™-3 و چگالی سلولی بالا طراحی شده تا مقاومت در حالت روشنی (RDS(ON)) بسیار پایینی داشته باشد، که آن را برای کاربردهای کم ولتاژ و پرتابل ایده‌آل می‌کند.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ماسفت کانال-P (P-Channel MOSFET)

• کلاس: Enhancement Mode (افزایشی)

• بسته‌بندی: SuperSOT™-3 (معادل SOT-23)

• کاربرد اصلی: مدیریت توان در سیستم‌های کم ولتاژ و پرتابل

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• ولتاژ درین-سورس (VDS): 30- ولت

• جریان درین پیوسته (ID): 1.1- آمپر

• مقاومت درین-سورس در حالت روشن (RDS(ON)):

  • 0.3 Ω @ VGS = 4.5- ولت

  • 0.2 Ω @ VGS = 10- ولت

• ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 0.8- تا 2.5- ولت

• ظرفیت خازنی ورودی (Ciss): 280 pF

💡 کاربردهای اصلی:

• مدیریت توان در لب‌تاپ‌ها و دستگاه‌های پرتابل

• سوئیچینگ ساید-بالا (High-Side Switching) در مدارات کم ولتاژ

• مدارات کنترل موتور و درایورهای DC

• مبدل‌های DC-DC و رگولاتورهای سوئیچینگ

• سیستم‌های باتری‌خور با بهره‌وری بالا

✅ مزایا:

• مقاومت روشنی بسیار پایین (0.2Ω @ VGS=10V)

• سازگاری با سطح منطقی (قابل راه‌اندازی با خروجی 3.3V/5V میکروکنترلر)

• سرعت سوئیچینگ بالا (زمان روشن/خاموش شدن در حد نانوثانیه)

• ابعاد بسیار کوچک (بسته‌بندی SOT-23)

• کارایی حرارتی عالی با طراحی SuperSOT™-3

🎯 جمع‌بندی:
NDS356AP یک ماسفت کانال-P با کارایی عالی برای کاربردهای کم ولتاژ و پرتابل است. پایین بودن مقاومت حالت روشنی و قابلیت راه‌اندازی با سطح ولتاژ منطقی، آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای طراحی‌های بهینه از نظر بازدهی توان و ابعاد تبدیل می‌کند. این قطعه به ویژه در سیستم‌های باتری‌خور که کاهش تلفات اهمی و افزایش عمر باتری اولویت دارد، بسیار ارزشمند است.