AO3401A P-Channel Enhancement Mode MOSFET
یک ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) کانال P با قابلیت سوییچینگ سریع و مقاومت داخلی بسیار پایین است که توسط Alpha & Omega Semiconductor تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوییچینگ قدرت در فضای محدود و مصرف توان پایین طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
-
کانال: P-Channel
-
ولتاژ درین-سورس: -۳۰V
-
جریان درین: -۴A
-
مقاومت روشن (RDS(on)): ۰٫۰۵Ω (۵۰ میلیاهم)
-
نوع بستهبندی: SOT-23 (SC-59)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): -۳۰V
-
جریان درین پیوسته (I_D): -۴A (در ۲۵°C)
-
مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۰٫۰۵Ω (در V_GS = -۱۰V)
-
ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۱۲V (حداکثر)
-
آستانه ولتاژ گیت (V_GS(th)): -۰٫۷V تا -۱٫۵V
-
ظرفیت خازن ورودی (C_iss): ۳۰۰pF (تیپیکال)
-
توان قابل تحمل (P_D): ۱٫۴W (تیپیکال)
💡 کاربردهای اصلی:
-
مدارهای سوییچینگ قدرت در دستگاههای پرتابل
-
مدیریت توان در سیستمهای مبتنی بر باتری
-
مدارهای کنترل موتورهای کوچک
-
ماژولهای DC-DC Converter
-
محافظت در برابر اتصال معکوس باتری
-
سیستمهای قطع و وصل بار (Load Switch)
✅ مزایا:
-
مقاومت روشن بسیار پایین: تنها ۵۰ میلیاهم
-
جریان دهی مناسب: تا ۴ آمپر پیوسته
-
سوییچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا
-
پکیج فوق فشرده: SOT-23 برای طراحیهای کامپکت
-
هزینه پایین: راهحل مقرون بهصرفه برای سوییچینگ قدرت
-
محافظت ESD: مقاوم در برابر الکتریسیته ساکن
🎯 جمعبندی:
AO3401A یک MOSFET کانال P با کارایی عالی و ابعاد بسیار کوچک است که برای کاربردهای سوییچینگ قدرت در فضای محدود ایدهآل میباشد. مقاومت RDS(on) بسیار پایین، تلفات هدایت را به حداقل میرساند و راندمان سیستم را به طور قابل توجهی بهبود میبخشد. پکیج SOT-23 امکان استفاده در طراحیهای فشرده و پرتراکم را فراهم میکند. توجه به محدودیتهای حرارتی و طراحی صحیح PCB برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینهای برتر برای پروژههای پرتابل و کممصرف نیازمند سوییچینگ سریع و کارایی بالا میباشد.