IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N از سری HEXFET است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج سطح‌بندی شده D-PAK ارائه می‌شود و به دلیل ولتاژ آستانه گیت پایین (Logic Level)، برای کاربردهای سوئیچینگ مستقیم با مدارهای منطقی و میکروکنترلرها ایده‌آل است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V

• جریان درین پیوسته (Id): 11A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 265mΩ 

• نوع بسته‌بندی: TO-252 (DPAK) (SMD/SMT)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V

• جریان درین پیوسته (Id): 11A (در 25°C)

• توان قابل تحمل (Pd): 48W

💡 کاربردهای اصلی:

• سوئیچینگ مستقیم با میکروکنترلر (5V و 3.3V)

• درایورهای موتور DC و براشلس (BLDC)

• سیستم‌های کنترل توان (Power Management)

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• مدارهای کنترل روشنایی LED

• درایورهای سولنوئید و رله

• مبدل‌های DC-DC

✅ مزایا:

• قابلیت درایو با Logic Level: عملکرد کامل با ولتاژ گیت 4.5V تا 5V

• مقاومت روشن پایین: 265 میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• جریان عبوری بالا: قابلیت تحمل جریان 11 آمپری

• پکیج DPAK: مدیریت حرارتی مؤثر از طریق تَب (Tab) فلزی

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

• قابلیت اطمینان بالا: فناوری HEXFET تضمین‌کننده عملکرد پایدار

• هزینه بهینه: عملکرد عالی با قیمت مقرون به صرفه

🎯 جمع‌بندی:
IRLR120NTRPBF یک MOSFET Logic-Level قابل اعتماد و پرکاربرد است که نقطه قوت اصلی آن، قابلیت درایو مستقیم با سیگنال‌های منطقی پایین (5V/3.3V) است. این ویژگی آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌های مبتنی بر آردوینو، Raspberry Pi و سایر میکروکنترلرها تبدیل می‌کند. ترکیب ولتاژ 100V، جریان 11A و مقاومت روشن پایین، این قطعه را برای طیف وسیعی از کاربردهای کنترل موتور و سوئیچینگ توان مناسب ساخته است. برای دستیابی به حداکثر عملکرد، طراحی مناسب PCB برای دفع حرارت از طریق pad مسی کافی ضروری است.