H27UBG8T2ATR

H27UBG8T2ATR

یک حافظه فلش NAND ۳۲ گیگابیتی (32Gb NAND Flash) از سری H27UBG8T2A ساخت Hynix است. ظرفیت آن 4096M x 8bit (معادل ۳۲ گیگابیت) بوده و به‌صورت تک‌ولتاژ ۳.۳ ولت کار می‌کند. این قطعه شامل دو پلن (Plane) در یک دای است؛ هر پلن ۱۰۲۴ بلاک و هر بلاک ۲۵۶ صفحه دارد. هر صفحه ۸۶۴۰ بایت است که به ۸۱۹۲ بایت داده اصلی و ۴۴۸ بایت ناحیه Spare تقسیم می‌شود. عملیات برنامه‌ریزی صفحه معمولاً ۱۶۰۰ میکروثانیه و پاک‌کردن یک بلاک معمولاً ۲.۵ میلی‌ثانیه طول می‌کشد. مقاومت چرخه Erase/Program با ECC حدود ۳۰۰۰ سیکل است. این حافظه برای کاربردهای ذخیره‌سازی حجیم غیرفرار طراحی شده است.

💡 کاربردهای عملی:

• حافظه‌های ذخیره‌سازی حجیم غیرفرار

• USB Flash Drives

• کارت‌های حافظه (Memory Cards)

• SSD و ماژول‌های ذخیره‌سازی

• تجهیزات Embedded

• دوربین‌های دیجیتال

• گوشی‌های همراه

• پخش‌کننده‌های موسیقی و ویدئو

• تجهیزات صنعتی و مخابراتی

• سیستم‌های نیازمند ذخیره‌سازی داده حجیم

• کاربردهای نیازمند Multi Plane و Cache

✅ مزایا:

• ظرفیت بالا: ۳۲ گیگابیت

• سازمان‌دهی x8

• ولتاژ تک ۳.۳ ولت

• دو پلن برای عملیات موازی

• پشتیبانی از Cache Read/Program

• پشتیبانی از Multi Plane Read/Program/Erase

• پشتیبانی از Copy-Back

• پشتیبانی از Interleaved Operation

• Bad Block Management

• Write Protect سخت‌افزاری

• Ready/Busy Output

• مصرف توان پایین

• Endurance ۳۰۰۰ سیکل با ECC

• مناسب برای ذخیره‌سازی حجیم و کاربردهای Embedded

🎯 جمع‌بندی:

H27UBG8T2ATR یک حافظه NAND Flash ۳۲ گیگابیتی از Hynix با سازمان‌دهی x8، ولتاژ ۲.۷ تا ۳.۶ ولت، دو پلن، ۲۰۴۸ بلاک، صفحه ۸۶۴۰ بایتی و بسته‌بندی 48-TSOP1 است. این قطعه از Cache Read/Program، Multi Plane، Copy-Back، Interleaved Operation، Bad Block Management و Write Protect پشتیبانی می‌کند. این حافظه برای USB Flash، کارت حافظه، SSD، تجهیزات Embedded، دوربین، گوشی و کاربردهای ذخیره‌سازی حجیم مناسب است.