ترانزیستور فت RF

ترانزیستور FET RF نوعی ترانزیستور اثر میدان (FET) است که برای فرکانس‌های بالا (RF و مایکروویو) طراحی شده و در مدارات تقویت‌کننده، فرستنده و گیرنده‌های مخابراتی به کار می‌رود. این ترانزیستورها معمولاً از GaAs (آرسنید گالیوم) یا SiC (سیلیکون کاربید) ساخته می‌شوند تا سرعت سوئیچینگ بالا، نویز کم و بهره زیاد داشته باشند. ویژگی‌های کلیدی: فرکانس کاری بالا (MHz تا GHz) نویز کم و بازدهی بالا در توان RF امپدانس ورودی بالا و بهره مناسب مناسب برای کاربردهای توان پایین تا بالا کاربردها: تقویت‌کننده‌های RF در گیرنده‌ها و فرستنده‌های رادیویی ماژول‌های مخابراتی (Wi-Fi، LTE، 5G، رادار) مدارات سوئیچینگ فرکانس بالا و مبدل‌های RF نمونه‌ها: BF998 (ترانزیستور MOSFET کم‌نویز برای RF) ATF-34143 (ترانزیستور GaAs برای تقویت‌کننده‌های کم‌نویز - LNA) MRF101AN (ترانزیستور توان بالا برای فرستنده‌های RF) این ترانزیستورها در مخابرات بی‌سیم، سیستم‌های ماهواره‌ای و تجهیزات راداری استفاده می‌شوند.